| IC型号 | 封装 | 市场同比产品 | 过充电检测电压(V) | 过充电释放电压(V) | 过放电检测电压(V) | 过放电释放电压(V) | 放电过流检测电压(MV) | 向0V电池充电功能 | 放电过流检测延迟时间(ms) | 充电过流检测电压(MV) | 特点描述 | 下载 |
| VCU | VCR | VDL | VDR | VDIP | VOCH | TDIP | VCIP | |||||
| ZLDW01A | SOT23-6L | DW01+/CS213/VA70 21/HY2110 | 4.300±0.050 | 4.100±0.050 | 2.500±0.075 | 2.900±0.075 | 150±20 | 允许 | 7 | － | 标准品 |  |
| ZLDW01B | SOT23-6L | / | 4.300±0.050 | 4.100±0.050 | 2.400±0.100 | 3.000±0.100 | 150±30 | 允许 | 6 | － | 零外围，省阻容 | |
| ZL4213 | SOT23-6L | HY2113- OB1B/MM3280 | 4.400±0.025 | 4.200±0.050 | 2.800±0.050 | 3.000±0.050 | 150±30 | 允许 | 8 | － | 高压电芯 | |
| ZL4216 | SOT23-6L | G3J | 4.300±0.025 | 4.080±0.050 | 3.000±0.050 | 3.000±0.050 | 80±15 | 允许 | 9 | － | 小容量电芯（穿戴） | |
| ZLB4217AE | SOT23-6L | HY2110GB | 4.300±0.040 | 4.100±0.040 | 2.500±0.075 | 3.000±0.075 | 150±30 | 允许 | 10 | －150±30 | 带新国标的DWO1 | |
| ZLB4218AE | SOT23-6L | HY2113GB3A | 4.280±0.025 | 4.080±0.050 | 3.000±0.050 | 3.000±0.075 | 80±15 | 允许 | 6 | －100±20 | 带新国标的G3J， 休眠功能 | |
| ZLB4219AE | SOT23-6L | HY2113GB3A | 4.280±0.025 | 4.080±0.050 | 3.000±0.050 | 3.000±0.075 | 80±15 | 允许 | 6 | －200±25 | 带新国标的G3J， 休眠功能，充电过流大 | |
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